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Wissenschaftliche Mitarbeiter

M.Sc. Thorsten Oeder


Weitere Informationen

  • Lehre: Karlsruher Institut für Technologie (KIT)
    2007 - 2010, Industriemechaniker für Feingerätebau
  • Hochschule Karlsruhe - Technik und Wirtschaft
    2010 - 2014, Bachelor of Engineering (B.Eng.), Elektrotechnik, Energie- und Automatisierungstechnik 
  • Hochschule Reutlingen - Robert Bosch Zentrum für Leistungselektronik (rbz)
    2014 - 2017, Master of Science (M.Sc.), Leistungs- und Mikroelektronik 
  • University of Nottingham - Power Electronics, Machines and Control Group (PEMC)  
    2016 - 2017, Visiting Researcher
  • TU Dortmund - Lehrstuhl für Energiewandlung
    Seit 2017, Wissenschaftlicher Mitarbeiter
  • ​​​​​​Halbleiter-Physik - Moderne Leistungshalbleiter - GaN HEMTs
  • Analytische und numerische Modellierung von GaN HEMTs (Physik-basierte Kompaktmodellierung)
  • Messtechnische Charakterisierung von GaN HEMTs (Statische und dynamische Erfassung von HEMT Eigenschaften, Zuverlässigkeitsanalyse)
  • Mohammad Harbaji
    Entwicklung eines analytischen Kompaktmodells der Gate-Struktur von p-Gate GaN HEMTs in Verilog-A
    Bachelorarbeit, August 2021
  • Bohua Zhang
    Development of a Surface-Potential-Based Compact Model for p-Gate GaN HEMTs in Verilog-A, involving a Measurement-Assisted Parameter Extraction Methodology
    Masterarbeit, Juli 2021
  • Refaat Al Nouri
    Entwicklung eines Prüfkonzepts und Validierung eines isolierten SiC-basierten DC/DC-Wandlers, für die Ladeinfrastruktur von Elektrofahrzeugen
    Masterarbeit, Juli 2021
  • Lukas Ciesiolka
    Experimentelle Charakterisierung der Auswirkung von Gate-Stress induzierten Schwellspannungs-Instabilitäten bei p-Gate AlGaN/GaN HEMTs
    Masterarbeit, März 2021
  • Lukas Knappstein
    Development and Construction of a sequentially extendable Measurement Setup for Characterizing the Degradation of AlGaN/GaN HEMTs
    Masterarbeit, Jannuar 2021
  • Yannik Bieker
    Entwicklung einer Temperaturregelung zur thermischen Charakterisierung moderner Leistungshalbleiter
    Bachelorarbeit, Juni 2019
  • Alem Basic
    Einfluss des Gate-Source-Widerstands auf die Gate-Charakteristik bei GaN-HEMTs
    Bachelorarbeit, Oktober 2018
  • Simon Stehr
    Gegenüberstellung von material- und technologiebasierten Limitierungen moderner Leistungshalbleiter
    Fachwissenschaftliche Projektarbeit, August 2018

Publikationen

Oeder, T.; Pfost, M.: Threshold Voltage Behavior and Short-Circuit Capability of p-Gate GaN HEMTs Depending on Drain- and Gate-Voltage Stress, IEEE Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications,  Los Angeles CA, USA, 10.2022, doi: TBD

Oeder, T.Pfost, M.Schwellenspannung und Zuverlässigkeit von p-Gate GaN HEMTs, Halbleiterkolloquium, Freiburg, 10.2022

Oeder, T.Pfost, M.Schwellenspannungs-Instabilitäten von p-Gate GaN HEMTs, Halbleiterkolloquium, Freiburg, 10.2021

Oeder, T.; Pfost, M.: Gate-Induced Threshold Voltage Instabilities in p-gate GaN HEMTs, IEEE Transaction on Electron Devices (Journal), 09.2021, doi: 10.1109/TED.2021.3098254

Oeder, T.; Pfost, M.: Gate-Stress-Induced Threshold Voltage Instabilites, a Comparison of Ohmic and Schottky p-Gate GaN HEMTs, IEEE Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications,  Kyoto, JPN, 10.2020, doi: 10.1109/WiPDAAsia49671.2020.9360288

Oeder, T.; Pfost, M.: Applikationsrelevante Auswirkungen von Ladungsträger Trapping, ein Vergleich von Ohmschen und Schottky p-Gate GaN HEMTs , Halbleiterkolloquium, Freiburg, 10.2019

Oeder, T.; Pfost, M.: Impact of Carrier Accumulation on the Transient Behavior of p-Gate GaN HEMTs , ISPSD2019 - The 31th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs, Shanghai, CHN, 05.2019, doi: 10.1109/ISPSD.2019.8757570

Oeder, T.; Pfost, M.; D'Aniello, F.; Fayyaz, A.; Castellazzi, A.: Damage Accumulation in GaN GITs Exposed to Repetitive Short-Circuit , ISPSD2019 - The 31th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs, Shanghai, CHN, 05.2019, doi: 10.1109/ISPSD.2019.8757692

Oeder, T.; Pfost, M.: Einfluss akkumulierter Ladung auf das transiente Verhalten bei p-Gate GaN HEMTs , Halbleiterkolloquium, Freiburg, 10.2018

Oeder, T.; Pfost, M.; Castellazzi, A. ; Fayyaz, A. ; Zhu, S.: Single pulse short-circuit robustness and repetitive stress aging of GaN GITs , Reliability Physics Symposium (IRPS), 2018 IEEE International, Burlingame, CA, USA, 03.2018, doi: 10.1109/IRPS.2018.8353593

Oeder, T.; Pfost, M.: Elektrisch limitierende Eigenschaften von 600 V p-Gate GaN HEMTs , Halbleiterkolloquium, Freiburg, 10.2017

Oeder, T.; Pfost, M.; Castellazzi, A.: Electrical and thermal failure modes of 600 V p-gate GaN HEMTs , ESREF2017 - 28th European Symposium on Reliability of Electron Devices, Failure Physics and Analysis, Bordeaux, FRA, 07.2017, Microelectronics Reliability (Journal), doi: 10.1016/j.microrel.2017.06.046

Oeder, T.; Pfost, M.; Castellazzi, A.: Experimental study of the short-circuit performance for a 600V normally-off p-gate GaN HEMTs , ISPSD2017 - The 29th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs, Sapporo, JPN, 06.2017, doi: 10.23919/ISPSD.2017.7988925

Anfahrt & Lageplan

Der Campus der Technischen Universität Dortmund liegt in der Nähe des Autobahnkreuzes Dortmund West, wo die Sauerlandlinie A45 den Ruhrschnellweg B1/A40 kreuzt. Die Abfahrt Dortmund-Eichlinghofen auf der A45 führt zum Campus Süd, die Abfahrt Dortmund-Dorstfeld auf der A40 zum Campus-Nord. An beiden Ausfahrten ist die Universität ausgeschildert.

Direkt auf dem Campus Nord befindet sich die S-Bahn-Station „Dortmund Universität“. Von dort fährt die S-Bahn-Linie S1 im 20- oder 30-Minuten-Takt zum Hauptbahnhof Dortmund und in der Gegenrichtung zum Hauptbahnhof Düsseldorf über Bochum, Essen und Duisburg. Außerdem ist die Universität mit den Buslinien 445, 447 und 462 zu erreichen. Eine Fahrplanauskunft findet sich auf der Homepage des Verkehrsverbundes Rhein-Ruhr, außerdem bieten die DSW21 einen interaktiven Liniennetzplan an.
 

Zu den Wahrzeichen der TU Dortmund gehört die H-Bahn. Linie 1 verkehrt im 10-Minuten-Takt zwischen Dortmund Eichlinghofen und dem Technologiezentrum über Campus Süd und Dortmund Universität S, Linie 2 pendelt im 5-Minuten-Takt zwischen Campus Nord und Campus Süd. Diese Strecke legt sie in zwei Minuten zurück.

Vom Flughafen Dortmund aus gelangt man mit dem AirportExpress innerhalb von gut 20 Minuten zum Dortmunder Hauptbahnhof und von dort mit der S-Bahn zur Universität. Ein größeres Angebot an internationalen Flugverbindungen bietet der etwa 60 Kilometer entfernte Flughafen Düsseldorf, der direkt mit der S-Bahn vom Bahnhof der Universität zu erreichen ist.