M.Sc. Thorsten Sezgin-Oeder
Weitere Informationen
- Lehre: Karlsruher Institut für Technologie (KIT)
2007 - 2010, Industriemechaniker für Feingerätebau - Hochschule Karlsruhe - Technik und Wirtschaft
2010 - 2014, Bachelor of Engineering (B.Eng.), Elektrotechnik, Energie- und Automatisierungstechnik - Hochschule Reutlingen - Robert Bosch Zentrum für Leistungselektronik (rbz)
2014 - 2017, Master of Science (M.Sc.), Leistungs- und Mikroelektronik - University of Nottingham - Power Electronics, Machines and Control Group (PEMC)
2016 - 2017, Visiting Researcher - TU Dortmund - Lehrstuhl für Energiewandlung
Seit 2017, Wissenschaftlicher Mitarbeiter
- Halbleiter-Physik - Moderne Leistungshalbleiter - GaN HEMTs
- Analytische und numerische Modellierung von GaN HEMTs (Physik-basierte Kompaktmodellierung)
- Messtechnische Charakterisierung von GaN HEMTs (Statische und dynamische Erfassung von HEMT Eigenschaften, Zuverlässigkeitsanalyse)
- Thema: Galliumnitrid (GaN)
- Projekt: GaNiusVth
- Mohammad Harbaji
Entwicklung eines analytischen Kompaktmodells der Gate-Struktur von p-Gate GaN HEMTs in Verilog-A
Bachelorarbeit, August 2021 - Bohua Zhang
Development of a Surface-Potential-Based Compact Model for p-Gate GaN HEMTs in Verilog-A, involving a Measurement-Assisted Parameter Extraction Methodology
Masterarbeit, Juli 2021 - Refaat Al Nouri
Entwicklung eines Prüfkonzepts und Validierung eines isolierten SiC-basierten DC/DC-Wandlers, für die Ladeinfrastruktur von Elektrofahrzeugen
Masterarbeit, Juli 2021 - Lukas Ciesiolka
Experimentelle Charakterisierung der Auswirkung von Gate-Stress induzierten Schwellspannungs-Instabilitäten bei p-Gate AlGaN/GaN HEMTs
Masterarbeit, März 2021 - Lukas Knappstein
Development and Construction of a sequentially extendable Measurement Setup for Characterizing the Degradation of AlGaN/GaN HEMTs
Masterarbeit, Jannuar 2021 - Yannik Bieker
Entwicklung einer Temperaturregelung zur thermischen Charakterisierung moderner Leistungshalbleiter
Bachelorarbeit, Juni 2019 - Alem Basic
Einfluss des Gate-Source-Widerstands auf die Gate-Charakteristik bei GaN-HEMTs
Bachelorarbeit, Oktober 2018 - Simon Stehr
Gegenüberstellung von material- und technologiebasierten Limitierungen moderner Leistungshalbleiter
Fachwissenschaftliche Projektarbeit, August 2018
Publikationen
Oeder, T.; Pfost, M.: Threshold Voltage Behavior and Short-Circuit Capability of p-Gate GaN HEMTs Depending on Drain- and Gate-Voltage Stress, IEEE Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications, Los Angeles CA, USA, 10.2022, doi: 10.1109/WiPDA56483.2022.9955266
Oeder, T.; Pfost, M.: Gate-Induced Threshold Voltage Instabilities in p-gate GaN HEMTs, IEEE Transaction on Electron Devices (Journal), 09.2021, doi: 10.1109/TED.2021.3098254
Oeder, T.; Pfost, M.: Gate-Stress-Induced Threshold Voltage Instabilites, a Comparison of Ohmic and Schottky p-Gate GaN HEMTs, IEEE Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications, Kyoto, JPN, 10.2020, doi: 10.1109/WiPDAAsia49671.2020.9360288
Oeder, T.; Pfost, M.: Impact of Carrier Accumulation on the Transient Behavior of p-Gate GaN HEMTs , ISPSD2019 - The 31th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs, Shanghai, CHN, 05.2019, doi: 10.1109/ISPSD.2019.8757570
Oeder, T.; Pfost, M.; D'Aniello, F.; Fayyaz, A.; Castellazzi, A.: Damage Accumulation in GaN GITs Exposed to Repetitive Short-Circuit , ISPSD2019 - The 31th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs, Shanghai, CHN, 05.2019, doi: 10.1109/ISPSD.2019.8757692
Oeder, T.; Pfost, M.; Castellazzi, A. ; Fayyaz, A. ; Zhu, S.: Single pulse short-circuit robustness and repetitive stress aging of GaN GITs , Reliability Physics Symposium (IRPS), 2018 IEEE International, Burlingame, CA, USA, 03.2018, doi: 10.1109/IRPS.2018.8353593
Oeder, T.; Pfost, M.; Castellazzi, A.: Electrical and thermal failure modes of 600 V p-gate GaN HEMTs , ESREF2017 - 28th European Symposium on Reliability of Electron Devices, Failure Physics and Analysis, Bordeaux, FRA, 07.2017, Microelectronics Reliability (Journal), doi: 10.1016/j.microrel.2017.06.046
Oeder, T.; Pfost, M.; Castellazzi, A.: Experimental study of the short-circuit performance for a 600V normally-off p-gate GaN HEMTs , ISPSD2017 - The 29th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs, Sapporo, JPN, 06.2017, doi: 10.23919/ISPSD.2017.7988925