M.Sc. Céline Lawniczak
Weitere Informationen
- TU Dortmund - Elektro- und Informationstechnik
2016 - 2020, Bachelor of Science (B. Sc.), Elektro- und Informationstechnik (EE) - TU Dortmund - Elektro- und Informationstechnik
2020 - 2021, Master of Science (M. Sc.), Elektro- und Informationstechnik (EE) - TU Dortmund - Lehrstuhl für Energiewandlung (EWA)
seit 2022, Wissenschaftliche Mitarbeiterin
Leistungselektronik Gate-Ansteuerung von GaN-HEMTs
- Projekt: AGaNDrive, etaGateDrive
- Thema: Gate-Treiber für GaN HEMTs
- Übungsleiterin: Technologien der Energiewandlung: Elektrische Maschinen
- Übungsleiterin: Moderne Leistungshalbleiter
- Betreuerin: Praktikum 4: Energietechnik Nr. 3.3 - Pulsumrichter mit IGBTs
- Silas Löhde
Entwicklung einer Totem-Pole PFC auf der Basis von GaN-Halbleitern mit einem Vergleich zwischen dem Critical Conduction Mode und Continuous Conduction Mode
Masterarbeit, Juli 2025 - Mohamad Lahmouni
Analyse und Optimierung von parasitären Elementen in hochfrequenten PCB-Design
Bachelorbeit, Mai 2025 - Niklas Burkhardt
Entwicklung und Vergleich verschiedener Messschaltungen zur Bestimmung des Einschaltwiderstandes von Wide-Bandgap-Halbleitern
Masterarbeit, März 2025 - Aixa Daniela Cristancho Miranda
Entwicklung und Aufbau eines closed-loop aktiven Gate-Treibers zur Minimierung von Schaltstromüberschwingern
Bachelorarbeit, Oktober 2024 - Osei Junior Kwateng
Development of a multi-level gate driver optimization in LTspice
Bachelorarbeit, September 2024 - Darius Salehi
Aufbau und Vergleich verschiedener Strommessmethoden zur Bewertung des Schwingverhaltens von GaN-HEMTs in hart schaltenden Applikationen
Bachelorarbeit, November 2023 - Lukas Kappel
Entwicklung und Implementierung einer Multilevel-Gateansteuerung zur Minderung von Schaltverlusten und Überschwingern von GaN-HEMTs
Masterarbeit, November 2023 - Darius Salehi
Vergleich von SiC und GaN Halbleitern hinsichtlich ihrer Bauteileigenschaften und deren Einfluss auf die Auslegung von Gate-Treibern
Fachwissenschaftliche Projektarbeit, Juli 2023 - Anis Gandouz
Design und Auslegung eines Gate-Treibers zur Beschleunigung der Schaltgeschwindigkeit
Bachelorarbeit, April 2023
Publikationen
C. Lawniczak and M. Pfost, A Discrete Multilevel Active Gate Driver for GaN HEMTs to Optimize the Switching Behavior, 2025 IEEE Applied Power Electronics Conference and Exposition (APEC), Atlanta, GA, USA, 2025, pp. 1129-1134, doi: 10.1109/APEC48143.2025.10977070
C. Lawniczak and M. Pfost, Utilization of a Reinforcement Learning Algorithm to Optimize a Multi-Level Gate Driver Circuit, PCIM Conference 2025; International Exhibition and Conference for Power Electronics, Intelligent Motion, Renewable Energy and Energy Management, Nürnberg, Germany, 2025, pp. 3030-3035, doi: 10.30420/566541405