Smart Power IC's
Die Anforderungen an die Leistungselektronik im Konsumerbereich, in der Automobilbranche und in der Industrie werden in Hinsicht auf ihrer Effizienz und Energieverbrauch immer höher und müssen dabei immer kleiner werden. Um dies zu erreichen werden MOSFETs (eng. Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) und insbesondere LDMOS-Transistoren (eng. lateral double diffused MOS) verwendet. Die Verwendung von LDMOS-Transistoren erlaubt eine hohe Integrationsdichte, wodurch die Schaltungen selbst kleiner und energieeffizienter werden. Zusätzliche Technologien wie RESURF (Reduced Surface Field) und SOI (Silicon on Insulator) Technologien werden genutzt, um weiterhin eine hohe Sperrspannung und einen geringen On-Widerstand zu erreichen.
Der LDMOS-Transistor spielt für Smart Power ICs eine wichtige Rolle, um z.B. kosteneffiziente LED Treiber oder DCDC Konverter zu entwickeln. Vorallem Schaltnetzteile brauchen eine hohe Schaltfrequenz um die Anforderungen von immer kleineren Applikationen gerecht zu werden. Dabei müssen also besonders die Schaltverluste genauer betrachtet werden. Die Charakterisierung des Schaltverhalten der Halbleiterbauelemente und die Bestimmung der Verluste sind ausschlaggebend für die weitere Entwicklung der Technologie. Verschiedene Realisierungen des Bauelementes werden sowohl messtechnisch als auch simulativ in ihrem Schaltverhalten genauer analyisiert.
- Charakterisierung der Bauelemente mit dem Doppelpuls-Messverfahren und einem niederinduktivem Messaufbau
- Bonden von Dies für niederinduktive
- Messungen Wafer-Level Messungen mittels eines am Lehrstuhl vorhandenen Wafer-Probers
