EcoBYGaN
EcoBYGaN
Gatetreiber mit adaptiver Totzeiten-Regelung für den Einsatz in hocheffizienten DC-DC Anwendungen
Durch den steigenden Energiebedarf durch Rechenzentren, insbesondere aufgrund von K.I.-Anwendungen, wird die Notwendigkeit zur Leistungseffizienz höher. Der Lehrstuhl für Energiewandlung arbeitet dafür mit neuartigen GaN-HEMT Transistoren. Dabei ermöglicht das Verwenden von GaN-HEMTs aufgrund besserer Elektronenmobilität und niedrigerer parasitärer Kapazitäten kürzere Schaltvorgänge und damit eine Steigerung der Effizienz.
Durch die Verwendung von GaN-HEMTs steigt der Einfluss des Schaltverhaltens auf die gesamte Effizienz des Systems. Um sogenanntes weiches Schalten zu erreichen, ist ein Betrieb bei optimalen Schalt-Totzeiten unabdingbar.
Daher wird an der TU Dortmund an einem Gatetreiber mit adaptiver Totzeitenregulierung geforscht, sodass keine aufwendigen Modell- und Kennfeldbasierten Steuerungen notwendig sind. Dabei liegt der Forschungsschwerpunkt bei der Verwendung einer hochempfindlichen und -frequenten Messtechnik. Zur entsprechenden Interpretation der Daten sollen verschiedene Ansätze erforscht werden, wie zum Beispiel neuronale Netze oder auch Frequenzanalysen.
- Aufnahmen von Messdaten durch hochfrequente Messtechnik.
- Interpretation der Messdaten zu folgenden Zwecken:
- Interpretation des Arbeitspunktes
- Entsprechende Regelung der Totzeit
- Folgliche Effizienzsteigerung
- Einsatz von GaN-HEMTs in schnellschaltenden Leistungswandlern
Dieses Projekt wird durch das Bundesministerium für Wirtschaft und Klimaschutz (BMWK) unter der Förderkennung KK5145905LT4 gefördert.